The emitter of the phottransistor and the cathode of the photodiode are grounded
The component we use is the PHCT202 manufactured by Photonics.
I do note have the datasheet of this component with me but I am sending the datasheet of a similar component, the PHCT553. It has the same electrical characteristics, but with a different physical body.
Be careful that the terminals are identified with different letters:
A-anode K-cathode E-emitter C-collector. ( while the PHCT 202 that is on the manual 3.0 uses E-cathode D-emitter and + for the collector and the anode)
CHAVES OPTOELETRÔNICAS TRANSMISSIVAS PHCT553/4
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS(Tamb=25oC)
- EMISSOR
VR (tensão reversa) 6 V
IF (corrente direta) 60 mA
- DETETOR
VCEO (tensão coletor-emissor) 30 V
VECO (tensão emissor-coletor) 6 V
IC (corrente de coletor) 70 mA
PD (potência de dissipação) 100 mW
- CHAVE OPTOELETRÔNICA
Tstg (temperatura de armazenagem) -25 a +100 oC
Top (temperatura de operação) -20 a + 80 oC
Tsd (temperatura de soldagem)(t=5s) 250 oC
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS(Tamb=25oC)
(cond.teste) mín típ máx unid.
- EMISSOR
VF (tensão direta) (IF=30mA) 1,2 1,5 V
IR (corrente reversa de fuga) (VR=4V) 10 A
- DETETOR
ICEO (fuga coletor-emissor) (VCE=10V,IF=0) 100 nA
- CHAVE OPTOELETRÔNICA
CTR (taxa transf.corr.) (IF=20mA,VCE=5V)
PHCT553 10 %
PHCT554 20 %
CARACTERÍSTICAS DE CHAVEAMENTO
(IC=2mA,VCE=5V,RL=100
tr (tempo de subida) 5 s
tf (tempo de descida) 5 s
DIMENSÕES FÍSICAS(em mm)
Especificação Técnica phct553